PUM6K31N Todos los transistores

 

PUM6K31N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PUM6K31N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT363

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PUM6K31N datasheet

 ..1. Size:1921K  cn tech public
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PUM6K31N

V 2.5

Otros transistores... BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , RFP50N06 , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 .

History: STD13N50DM2AG | 2SK897-M | SI4947ADY | SIR422DP-T1-GE3 | IRF7379I | 2SK3355

 

 

 

 

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