Справочник MOSFET. PUM6K31N

 

PUM6K31N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PUM6K31N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для PUM6K31N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PUM6K31N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1921K  cn tech public
pum6k31n.pdfpdf_icon

PUM6K31N

V2.5

Другие MOSFET... BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , SKD502T , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 .

History: 2SK2365-Z | AUIRL3705N | HY3312PM | ELM56800EA | MTP7N60 | CS5210 | DH3205A

 

 
Back to Top

 


 
.