TPAO5404EL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPAO5404EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 max pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Encapsulados: SOT523
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TPAO5404EL datasheet
tpao5404el.pdf
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tpao5401el.pdf
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History: NTE4153NT1G | IRF7700 | NDT6N70 | SI2325DS
History: NTE4153NT1G | IRF7700 | NDT6N70 | SI2325DS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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