TPAO5404EL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPAO5404EL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 max pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для TPAO5404EL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPAO5404EL даташит
tpao5404el.pdf
WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW www.techpublic.com.tw
tpao5401el.pdf
WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW
Другие MOSFET... NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , AO3407 , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 .
History: AP4532GM-HF
History: AP4532GM-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381


