TPM1012ER3 Todos los transistores

 

TPM1012ER3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM1012ER3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPM1012ER3 Datasheet (PDF)

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TPM1012ER3

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TPM1012ER3

TPM1 01 2R3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000V Battery protection High-side Switching Low On-Resistance: 0.7 Load switch Low Threshold: 0.8V (Typ.) Power management Fast Switching Speed: 10ns S-Prefix for Automotive and Other Applications

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TPM1012ER3

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History: AP98T03GP-HF | CSD85312Q3E | FTK5N80DD | BUK7616-55A

 

 
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