TPM1012R3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM1012R3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Encapsulados: SOT523
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TPM1012R3 datasheet
tpm1012r3.pdf
TPM1 01 2R3 N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications TrenchFET Power MOSFET 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected 2000V Battery protection High-side Switching Low On-Resistance 0.7 Load switch Low Threshold 0.8V (Typ.) Power management Fast Switching Speed 10ns S-Prefix for Automotive and Other Applications
tpm1012er3.pdf
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tpm1013er3.pdf
www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.comtw . www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.t
Otros transistores... TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , 2N60 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 , TPM2009EP3 , TPM2019-3 , TPM2030-3 , TPM2077 .
History: SM6129NSU | FTA04N65 | 2SK3572-Z | SI2301CDS-T1 | MTP15N05L
History: SM6129NSU | FTA04N65 | 2SK3572-Z | SI2301CDS-T1 | MTP15N05L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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