TPM1013ER3 Todos los transistores

 

TPM1013ER3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPM1013ER3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm

Encapsulados: SOT523

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TPM1013ER3 datasheet

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TPM1013ER3

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TPM1013ER3

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TPM1013ER3

TPM1 01 2R3 N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs www.sot23.com.tw Features Applications TrenchFET Power MOSFET 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected 2000V Battery protection High-side Switching Low On-Resistance 0.7 Load switch Low Threshold 0.8V (Typ.) Power management Fast Switching Speed 10ns S-Prefix for Automotive and Other Applications

Otros transistores... TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , 8N60 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A , TPM2008P3 , TPM2009EP3 , TPM2019-3 , TPM2030-3 , TPM2077 , TPM2101BC3 .

History: RQA0008NXAQS | STT3962N | 2SK3572-Z | CS460FA9H | TPM2008EP3-A | SL2302M | ZXMNS3BM832TA

 

 

 

 

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