TPM1013ER3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPM1013ER3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPM1013ER3

TPM1013ER3 Datasheet (PDF)

..1. Size:491K cn tech public
tpm1013er3.pdf

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8.1. Size:361K cn tech public
tpm1012er3.pdf

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8.2. Size:4810K cn tech public
tpm1012r3.pdf

TPM1 01 2R3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000V Battery protection High-side Switching Low On-Resistance: 0.7 Load switch Low Threshold: 0.8V (Typ.) Power management Fast Switching Speed: 10ns S-Prefix for Automotive and Other Applications

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Liste

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