TPM1013ER3 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: TPM1013ER3
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 20 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 1.1 V
|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 0.55 A
Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C
trⓘ - Rise Time: 40 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 6(max) pF
Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.59 Ohm
Package: SOT523
TPM1013ER3 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
TPM1013ER3 Datasheet (PDF)
tpm1013er3.pdf
www.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.comtw.www.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.t
tpm1012er3.pdf
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tpm1012r3.pdf
TPM1 01 2R3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000V Battery protection High-side Switching Low On-Resistance: 0.7 Load switch Low Threshold: 0.8V (Typ.) Power management Fast Switching Speed: 10ns S-Prefix for Automotive and Other Applications
Datasheet: FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
