TPM2008EP3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPM2008EP3
   Código: N5.*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPM2008EP3

TPM2008EP3 Datasheet (PDF)

..1. Size:1699K cn tech public
tpm2008ep3.pdf

0.1. Size:1003K cn tech public
tpm2008ep3-a.pdf

TPM2008 EP3-AN-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Packagewww.sot23.com.tw Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive www.sot23.com.twElectronics ESD Protectedwww.sot23.com.tw Logic Level Shift

7.1. Size:798K cn tech public
tpm2008p3.pdf

TPM2008 P3N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TWApplication Features Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive Electronics ESD Protected Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram Circ

8.1. Size:806K cn tech public
tpm2009ep3.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: