FDA59N25 Todos los transistores

 

FDA59N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA59N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 392 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 59 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 63 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.049 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA59N25

 

FDA59N25 Datasheet (PDF)

1.1. fda59n25.pdf Size:643K _fairchild_semi

FDA59N25
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September 2005 TM UniFET FDA59N25 VDS = 250V VDS(Avalanche) = 300V 250V N-Channel MOSFET RDS(on) Typ. @10V = 41m? Features Description 59A, 250V, RDS(on) = 0.049? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge (typical 63 nC) DMOS technology. Low Crss (typical 70 pF) This

4.1. fda59n30.pdf Size:427K _fairchild_semi

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TM UniFET FDA59N30 300V N-Channel MOSFET Features Description 59A, 300V, RDS(on) = 0.056? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini- Fast switching

 

Otros transistores... STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , 2SK2837 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , FDA8440 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 .

 

 
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