TPM2077 Todos los transistores

 

TPM2077 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPM2077

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT723

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TPM2077 datasheet

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TPM2077

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TPM2077

TPM2008 P3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET WWW.SOT23.COM.TW Application Features Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Operated at Low Logic Level Gate Drive Electronics ESD Protected Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram Circ

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TPM2077

TPM2030-3 N-Channel Mosfet www.sot23.com.tw Product Summary Application RDS(on)=Typ 200m @VGS= 4.5V Load/Power switch RDS(on)=Typ 250m @VGS= 2.5V Interfacing, logic switching Lead free product is acquired Battery management for ultra protable electronics Surface mount package N-channel switch with low RDS(on) Operated at low logic le

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History: SI3475DV | 2SK3870-01 | SW3N10 | RU8590S | CS10N50A8R | SLD65R380E7C | NTTFS4937NTAG

 

 

 

 

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