TPM2102BC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPM2102BC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 54 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPM2102BC3

TPM2102BC3 Datasheet (PDF)

..1. Size:4545K cn tech public
tpm2102bc3.pdf

TPM21 02B C3N-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V 20V DSBattery protection I 2.5A DLoad switch R ( at V =4.5V) 70 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =2.5V) 98 mohm DS(ON) GSDDSG GSOT323SAbsolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Limit UnitDr

8.1. Size:5092K cn tech public
tpm2101bc3.pdf

TPM21 01 B C3P-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications V -20V DSBattery protection I -2.0A DLoad switch R ( at V =-4.5V) 130 mohm DS(ON) GSPower management R ( at V =-2.5V) 170 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSDSGSOT323Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise

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History: MCH3476

Liste

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