TPM62D0LFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPM62D0LFB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
Búsqueda de reemplazo de TPM62D0LFB MOSFET
TPM62D0LFB Datasheet (PDF)
tpm62d0lfb.pdf

TPM62D0LFBN-Channel Mosfetwww.sot23.com.twApplication Product Summary Load/Power Switching V 60V DS I 350mA Interfacing Switching D R ( at V =10V) 5 ohm DS(ON) GS Logic Level Shift R ( at V =4.5V) 4.5 ohmDS(ON) GS ESD Protected:2000VCircuit diagramPackage and Pin Configuration DGS DFN1006-3L Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... TPM2601C3 , TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , 2N7002 , TPM6401S3 , TPM7002BKM , TPM7002DFN3 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G .
History: 2SK2596 | BSO200P03S | TT8K11 | NP82N055NHE
History: 2SK2596 | BSO200P03S | TT8K11 | NP82N055NHE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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