TPM62D0LFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPM62D0LFB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPM62D0LFB

TPM62D0LFB Datasheet (PDF)

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tpm62d0lfb.pdf

TPM62D0LFBN-Channel Mosfetwww.sot23.com.twApplication Product Summary Load/Power Switching V 60V DS I 350mA Interfacing Switching D R ( at V =10V) 5 ohm DS(ON) GS Logic Level Shift R ( at V =4.5V) 4.5 ohmDS(ON) GS ESD Protected:2000VCircuit diagramPackage and Pin Configuration DGS DFN1006-3L Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: