TPM62D0LFB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPM62D0LFB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для TPM62D0LFB
TPM62D0LFB Datasheet (PDF)
tpm62d0lfb.pdf
TPM62D0LFBN-Channel Mosfetwww.sot23.com.twApplication Product Summary Load/Power Switching V 60V DS I 350mA Interfacing Switching D R ( at V =10V) 5 ohm DS(ON) GS Logic Level Shift R ( at V =4.5V) 4.5 ohmDS(ON) GS ESD Protected:2000VCircuit diagramPackage and Pin Configuration DGS DFN1006-3L Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... TPM2601C3 , TPM3008EP3 , TPM3134NX3 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , MMIS60R580P , TPM6401S3 , TPM7002BKM , TPM7002DFN3 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G .
History: SVF20N50F
History: SVF20N50F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907


