TPM7002DFN3 Todos los transistores

 

TPM7002DFN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPM7002DFN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPM7002DFN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4097K  cn tech public
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TPM7002DFN3

TPM7002DFN360V N-Channel Mosfetwww.sot23.com.twProduct Summary Application V 60V DS Load/Power Switching I 340mA D Interfacing Switching R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm Battery Management for Ultra Small Portable DS(ON) GSElectronics Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram D

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TPM7002DFN3

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TPM7002DFN3

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