Справочник MOSFET. TPM7002DFN3

 

TPM7002DFN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM7002DFN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для TPM7002DFN3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM7002DFN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4097K  cn tech public
tpm7002dfn3.pdfpdf_icon

TPM7002DFN3

TPM7002DFN360V N-Channel Mosfetwww.sot23.com.twProduct Summary Application V 60V DS Load/Power Switching I 340mA D Interfacing Switching R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm Battery Management for Ultra Small Portable DS(ON) GSElectronics Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram D

 7.1. Size:796K  cn tech public
tpm7002er3.pdfpdf_icon

TPM7002DFN3

 7.2. Size:1532K  cn tech public
tpm7002bkm.pdfpdf_icon

TPM7002DFN3

Другие MOSFET... TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB , TPM6401S3 , TPM7002BKM , AO4468 , TPM7002ER3 , TPM8205ATS6 , TPM8205TS6 , TPM9665D6 , TPNTA4151PT1G , TPNTA4153NT1G , TPNTJD4105CT1G , TPNTK3134NT1G .

History: STV200N55F3 | KHB2D0N60P

 

 
Back to Top

 


 
.