TPM7002DFN3 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TPM7002DFN3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TPM7002DFN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L

Аналог (замена) для TPM7002DFN3

TPM7002DFN3 Datasheet (PDF)

..1. Size:4097K cn tech public
tpm7002dfn3.pdf

TPM7002DFN360V N-Channel Mosfetwww.sot23.com.twProduct Summary Application V 60V DS Load/Power Switching I 340mA D Interfacing Switching R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm Battery Management for Ultra Small Portable DS(ON) GSElectronics Logic Level Shift Package and Pin Configuration Circuit diagram D

7.1. Size:796K cn tech public
tpm7002er3.pdf