TPNTK3139PT1G Todos los transistores

TPNTK3139PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPNTK3139PT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm

Encapsulados: SOT723

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros