TPNTK3139PT1G - описание и поиск аналогов

TPNTK3139PT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPNTK3139PT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: SOT723

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам