TPNTK3139PT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: TPNTK3139PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам