IRLU3103P Todos los transistores

 

IRLU3103P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLU3103P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de IRLU3103P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRLU3103P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2237K  cn vbsemi
 irlu3103p.pdf pdf_icon

IRLU3103P

IRLU3103Pwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.07 at VGS = 10 V 53 100 % Rg TestedRoHS30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.09 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONSTO-251 DC/DC ConversionD- System PowerGSN-Channel MOSFET G D STo

 0.1. Size:286K  international rectifier
 irlu3103pbf irlr3103pbf.pdf pdf_icon

IRLU3103P

PD - 95085AIRLR/U3103PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR3103)VDSS = 30Vl Straight Lead (IRLU3103)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.019l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 55Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

 0.2. Size:286K  international rectifier
 irlr3103pbf irlu3103pbf.pdf pdf_icon

IRLU3103P

PD - 95085AIRLR/U3103PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR3103)VDSS = 30Vl Straight Lead (IRLU3103)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.019l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 55Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

 6.1. Size:261K  inchange semiconductor
 irlu3103.pdf pdf_icon

IRLU3103P

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3103FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , KD2306A , KD2310 , KD3400SRG , IRLU110P , IRF9540 , IRLU3410P , ISL9N306AD3S , ISL9N308AD3ST , ISL9N308AD3 , K1307 , K2543 , K2543-FP , K3569 .

History: NCEP040N10GU | SSF70R600S2

 

 
Back to Top

 


 
.