IRLU3103P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLU3103P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 typ Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLU3103P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU3103P даташит

 ..1. Size:2237K  cn vbsemi
irlu3103p.pdfpdf_icon

IRLU3103P

IRLU3103P www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.07 at VGS = 10 V 53 100 % Rg Tested RoHS 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.09 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS TO-251 DC/DC Conversion D - System Power G S N-Channel MOSFET G D S To

 0.1. Size:286K  international rectifier
irlu3103pbf irlr3103pbf.pdfpdf_icon

IRLU3103P

PD - 95085A IRLR/U3103PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR3103) VDSS = 30V l Straight Lead (IRLU3103) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.019 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 55A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 0.2. Size:286K  international rectifier
irlr3103pbf irlu3103pbf.pdfpdf_icon

IRLU3103P

PD - 95085A IRLR/U3103PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR3103) VDSS = 30V l Straight Lead (IRLU3103) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.019 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 55A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 6.1. Size:261K  inchange semiconductor
irlu3103.pdfpdf_icon

IRLU3103P

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3103 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

Другие IGBT... K4018, MMBF170LT1G, MMDF3N04HD, MCH3409-TL, KD2306A, KD2310, KD3400SRG, IRLU110P, IRFB4227, IRLU3410P, ISL9N306AD3S, ISL9N308AD3ST, ISL9N308AD3, K1307, K2543, K2543-FP, K3569