K2543-FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: K2543-FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 typ Ohm
Encapsulados: TO220FP
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K2543-FP datasheet
2sk2543.pdf
2SK2543 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2543 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance Y = 7.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D Ma
k2543.pdf
K2543 www.VBsemi.tw N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.68 43 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg) 5 Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS) 22 Qgd (nC) Configuration
2sk2543.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2543 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.85 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: SLP240C03D | SI2302AI-MS | MPG120N06P | SI2318DS-T1-GE3 | P0260EI | H50N03J | FCPF190N65S3R0L
History: SLP240C03D | SI2302AI-MS | MPG120N06P | SI2318DS-T1-GE3 | P0260EI | H50N03J | FCPF190N65S3R0L
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Liste
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