NT2955G Todos los transistores

 

NT2955G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NT2955G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 typ Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de NT2955G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NT2955G datasheet

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 nt2955g.pdf pdf_icon

NT2955G

NT2955G www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbo

Otros transistores... NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , NIF5002NT1G , NIF5002NT3G , P60NF06 , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT , NTD5865NL-1G .

History: STW33N60DM2 | IRF623FI | GPT09N50D | AP4920GM-HF | STD4NK80Z | AO4458 | 2SK1685

 

 

 

 

↑ Back to Top
.