NT2955G - описание и поиск аналогов

 

NT2955G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NT2955G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NT2955G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NT2955G даташит

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 nt2955g.pdf pdf_icon

NT2955G

NT2955G www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbo

Другие MOSFET... NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , NDS9948-NL , NIF5002NT1G , NIF5002NT3G , P60NF06 , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G , NTD4860NT4G , NTD5807NT , NTD5865NL-1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.