NTR4502PT1G Todos los transistores

 

NTR4502PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTR4502PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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NTR4502PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:867K  cn vbsemi
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NTR4502PT1G

NTR4502PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT

 4.1. Size:133K  onsemi
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NTR4502PT1G

NTR4502P, NVTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P240 mW @ -4.5 V

 6.1. Size:130K  onsemi
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NTR4502PT1G

NTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A Pb-Free Packages are Available240 mW @ -4.5 VApplicatio

 6.2. Size:136K  onsemi
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NTR4502PT1G

NTR4502P, NVTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P240 mW @ -4.5 V

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History: WMQ30N04TS | IRFR2407 | RU5H18Q | JSM3622 | FDB86563F085 | SIS862DN | IRFAE50

 

 
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