NTR4502PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTR4502PT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для NTR4502PT1G
NTR4502PT1G Datasheet (PDF)
ntr4502pt1g.pdf
NTR4502PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT
ntr4502pt1 nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P240 mW @ -4.5 V
ntr4502p.pdf
NTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A Pb-Free Packages are Available240 mW @ -4.5 VApplicatio
ntr4502p nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502PPower MOSFET-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,SOT-23Featureshttp://onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm)-30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P240 mW @ -4.5 V
ntr4502p nvtr4502p.pdf
Product specificationNTR4502P, NVTR4502PPower MOSFETV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1)155 mW @ -10 V-30 V, -1.95 A, Single, P-Channel,-30 V -1.95 ASOT-23 240 mW @ -4.5 VP-Channel MOSFETFeaturesS Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching Low RDS(ON) for Low Conduction Losses SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) G AEC Q
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQD12N20LTMF085
History: FQD12N20LTMF085
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918