NTR4502PT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTR4502PT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 typ Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для NTR4502PT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTR4502PT1G даташит
ntr4502pt1g.pdf
NTR4502PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT
ntr4502pt1 nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
ntr4502p.pdf
NTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A Pb-Free Packages are Available 240 mW @ -4.5 V Applicatio
ntr4502p nvtr4502p.pdf
NTR4502P, NVTR4502P Power MOSFET -30 V, -1.95 A, Single, P-Channel, SOT-23 Features http //onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max (Note 1) Low RDS(ON) for Low Conduction Losses 155 mW @ -10 V SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) -30 V -1.95 A AEC Q101 Qualified - NVTR4502P 240 mW @ -4.5 V
Другие MOSFET... NTD5807NT , NTD5865NL-1G , NTD5865NLT4G , NTD6416ANT , NTE4153NT1G , NTF3055-100T , NTMD3P03R2G , NTR0202PLT1G , EMB04N03H , NTS2101PT1G , NTS4101PT1G , P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L .
History: CS8N60ARD
History: CS8N60ARD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609





