NTS4101PT1G Todos los transistores

 

NTS4101PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTS4101PT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70
 

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NTS4101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:838K  cn vbsemi
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NTS4101PT1G

NTS4101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf pdf_icon

NTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

 4.1. Size:96K  onsemi
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NTS4101PT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 6.1. Size:100K  onsemi
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NTS4101PT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

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History: RD3G500GN | R9521 | IRFB4310ZGPBF | IRLU4343PBF | IRFB3307ZPBF | SSA50R100S

 

 
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