Справочник MOSFET. NTS4101PT1G

 

NTS4101PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTS4101PT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для NTS4101PT1G

 

 

NTS4101PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:838K  cn vbsemi
 nts4101pt1g.pdf

NTS4101PT1G NTS4101PT1G

NTS4101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.1. Size:2471K  cn tech public
 tpnts4101pt1g.pdf

NTS4101PT1G NTS4101PT1G

TPNTS4 1 01 PT1 GP-Channel Enhancement-Mode MOS FETswww.sot23.com.twFeaturesApplications (typ) @VGS =4.5V. -20V, -2.3A, RDS(ON) =100m Battery protection RDS(ON) = 125m (typ) @VGS = 2.5V. Load switch Power management SOT-323 package. Ordering InformationPart Number Qty per Reel Reel SizeTPNTS4101PT1G 3000 7DSGSOT-323Absolute Maximum Ratings (TA=

 4.1. Size:96K  onsemi
 nts4101pt1.pdf

NTS4101PT1G NTS4101PT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

 6.1. Size:100K  onsemi
 nts4101p.pdf

NTS4101PT1G NTS4101PT1G

NTS4101PPower MOSFET-20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) http://onsemi.com -2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)83 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-20 V88 mW @ -3.6 V -1.37 AApplications High Side Load Switch 104 mW @ -2.5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top