P80NF55-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P80NF55-08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P80NF55-08

P80NF55-08 Datasheet (PDF)

..1. Size:830K cn vbsemi
p80nf55-08.pdf

P80NF55-08www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization:600.008 at VGS = 7.5 V100TO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit

0.1. Size:362K st
stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

5.1. Size:447K st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

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STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

5.3. Size:36K st
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STP80NF55-07 N - CHANNEL 55V - 0.0055 - 80A - TO-220STripFET POWER MOSFETTARGET DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF55-07 55 V

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stp80nf55-06.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP80NF55-06FEATURESTypical R (on)=0.005DSExcellent switching performanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenoid and relay driversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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Liste

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