SI1967DH-T1-GE3 Todos los transistores

 

SI1967DH-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1967DH-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI1967DH-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:858K  cn vbsemi
 si1967dh-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3www.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1

 6.1. Size:108K  vishay
 si1967dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1967DHVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized- 20 0.640 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.6 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.790 at VGS = - 1.8 V - 1.0APPLICATI

 9.1. Size:108K  vishay
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1965DHVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.390 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET- 12 0.535 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.710 at VGS = - 1.8 V - 1.1APPLICATIONS Load Switch

 9.2. Size:1453K  cn vbsemi
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1965DHwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
Back to Top

 


 
.