SI1967DH-T1-GE3 - описание и поиск аналогов

 

SI1967DH-T1-GE3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1967DH-T1-GE3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 typ Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для SI1967DH-T1-GE3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1967DH-T1-GE3 даташит

 0.1. Size:858K  cn vbsemi
 si1967dh-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-70=-6 S1 S2 S1 1 6 D1 G1 G2 G1

 6.1. Size:108K  vishay
 si1967dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1967DH Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized - 20 0.640 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.6 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.790 at VGS = - 1.8 V - 1.0 APPLICATI

 9.1. Size:108K  vishay
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1965DH Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.390 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET - 12 0.535 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.710 at VGS = - 1.8 V - 1.1 APPLICATIONS Load Switch

 9.2. Size:1453K  cn vbsemi
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1965DH www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SC-70=-6 S1 S2 S1 1 6 D1 G1 G2 G1 2 5 G2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , IRF640 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910

 

 

 

 

↑ Back to Top
.