Справочник MOSFET. SI1967DH-T1-GE3

 

SI1967DH-T1-GE3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1967DH-T1-GE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
 

 Аналог (замена) для SI1967DH-T1-GE3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1967DH-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:858K  cn vbsemi
 si1967dh-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3www.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1

 6.1. Size:108K  vishay
 si1967dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1967DHVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized- 20 0.640 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.6 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.790 at VGS = - 1.8 V - 1.0APPLICATI

 9.1. Size:108K  vishay
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

Si1965DHVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.390 at VGS = - 4.5 V - 1.3a TrenchFET Power MOSFET- 12 0.535 at VGS = - 2.5 V - 1.2 1.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.710 at VGS = - 1.8 V - 1.1APPLICATIONS Load Switch

 9.2. Size:1453K  cn vbsemi
 si1965dh.pdf pdf_icon

SI1967DH-T1-GE3

SI1965DHwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , IRFP460 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 .

 

 
Back to Top

 


 
.