SI2301CDS-T1 Todos los transistores

 

SI2301CDS-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2301CDS-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2301CDS-T1 datasheet

 ..1. Size:892K  cn vbsemi
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SI2301CDS-T1

SI2301CDS-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

 5.1. Size:193K  vishay
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SI2301CDS-T1

Si2301CDS Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.112 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET - 20 3.3 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.142 at VGS = - 2.5 V - 2.7 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G

 5.2. Size:9298K  cn tech public
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SI2301CDS-T1

 6.1. Size:190K  vishay
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SI2301CDS-T1

Si2301CDS Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.112 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET - 20 3.3 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.142 at VGS = - 2.5 V - 2.7 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G

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History: FTA04N65 | MTP15N05L | SM6129NSU

 

 

 

 

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