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SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2305CDS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

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SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

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SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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History: AO4705 | SHD231006

 

 
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