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SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2305CDS-T1-GE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2305CDS-T1-GE3 datasheet

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SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA

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SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDS Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested 0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDS Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested 0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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History: BRCS70N08IP | STB17N80K5 | 2N65L-TMA-T

 

 

 

 

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