SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2305CDS-T1-GE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2305cds-t1-ge3.pdf
SI2305CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA
si2305cds.pdf
Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si2305cd.pdf
Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
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