Справочник MOSFET. SI2305CDS-T1-GE3

 

SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI2305CDS-T1-GE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SI2305CDS-T1-GE3

 

 

SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
si2305cds-t1-ge3.pdf

SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

 5.1. Size:223K  vishay
si2305cds.pdf

SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 6.1. Size:220K  vishay
si2305cd.pdf

SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MEM2301 | BM3407A

 

 
Back to Top