SI2305CDS-T1-GE3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SI2305CDS-T1-GE3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI2305CDS-T1-GE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SI2305CDS-T1-GE3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
 si2305cds-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

 5.1. Size:223K  vishay
 si2305cds.pdf pdf_icon

SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 6.1. Size:220K  vishay
 si2305cd.pdf pdf_icon

SI2305CDS-T1-GE3

Si2305CDSVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.048 at VGS = - 2.5 V - 5.0 12 nC 100 % Rg Tested0.065 at VGS = - 1.8 V - 4.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , IRFB4110 , SI2305DS-T1-GE3 , SI2309CDS-T1-GE3 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 .

History: BLP038N10GL-D | IXFN210N20P | BSZ086P03NS3EG | RU6H2R | P0470ED | STD38NH02L | H5N2512FL-M0

 

 
Back to Top

 


 
.