SI2324DS-T1-GE3 Todos los transistores

 

SI2324DS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2324DS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.240(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SI2324DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:899K  cn vbsemi
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SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Back

 6.1. Size:2275K  kexin
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SI2324DS-T1-GE3

SMD Type MOSFET ICSMD Type N-Channel Enhancement MOSFETSI2324DS (KI2324DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDSS = 100V ID = 2.3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 234m (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 267m (VGS = 6V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2D RDS(ON) 278m (VGS = 4.5V)1. Gate2. SourceG3. Drain

 8.1. Size:904K  mcc
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SI2324DS-T1-GE3

SI2324AFeatures TrenchFET Power MOSFET Low RDS(ON) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-Channel MOSFET Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range: -55C to +150C S

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History: IRFU9N20D | SIR770DP | ST2319SRG | 2SK2533 | TPA65R100MFD | SI2312CDS-T1-GE3 | STP19NB20FP

 

 
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