SI2324DS-T1-GE3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2324DS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.240(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2324DS-T1-GE3
SI2324DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2324ds-t1-ge3.pdf
SI2324DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Back
si2324ds.pdf
SMD Type MOSFET ICSMD Type N-Channel Enhancement MOSFETSI2324DS (KI2324DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDSS = 100V ID = 2.3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 234m (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 267m (VGS = 6V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2D RDS(ON) 278m (VGS = 4.5V)1. Gate2. SourceG3. Drain
si2324a.pdf
SI2324AFeatures TrenchFET Power MOSFET Low RDS(ON) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-Channel MOSFET Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range: -55C to +150C S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
