SI2324DS-T1-GE3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI2324DS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.240(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2324DS-T1-GE3
SI2324DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2324ds-t1-ge3.pdf

SI2324DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Back
si2324ds.pdf

SMD Type MOSFET ICSMD Type N-Channel Enhancement MOSFETSI2324DS (KI2324DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDSS = 100V ID = 2.3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 234m (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 267m (VGS = 6V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2D RDS(ON) 278m (VGS = 4.5V)1. Gate2. SourceG3. Drain
si2324a.pdf

SI2324AFeatures TrenchFET Power MOSFET Low RDS(ON) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-Channel MOSFET Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range: -55C to +150C S
Другие MOSFET... SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , SI2305CDS-T1-GE3 , SI2305DS-T1-GE3 , SI2309CDS-T1-GE3 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , STP75NF75 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , SI3911DV-T1 .
History: 2SJ646 | HIRFZ24NF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet