SI2333DS-T1-GE3 Todos los transistores

 

SI2333DS-T1-GE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2333DS-T1-GE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2333DS-T1-GE3 datasheet

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
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SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICAT

 5.1. Size:1240K  kexin
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SI2333DS-T1-GE3

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET SI2333DS (KI2333DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute

 6.1. Size:186K  vishay
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SI2333DS-T1-GE3

Si2333DS Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.032 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.6 APPLICATIONS 0.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9 Load Switch PA Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View S

 6.2. Size:1223K  kexin
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SI2333DS-T1-GE3

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET SI2333DS (KI2333DS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute Max

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