SI2399DS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI2399DS-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2399DS-T1
SI2399DS-T1 Datasheet (PDF)
si2399ds-t1.pdf
Si2399DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si2399ds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2+0.02+0.10.15 -0.02 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) 0.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum R
si2399ds.pdf
Si2399DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.067 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO
si2399ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 RDS(ON) 34m (VGS = -10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Rati
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