SI2399DS-T1 - описание и поиск аналогов

 

SI2399DS-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2399DS-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SI2399DS-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2399DS-T1 даташит

 ..1. Size:892K  cn vbsemi
si2399ds-t1.pdfpdf_icon

SI2399DS-T1

Si2399DS-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 5.1. Size:1699K  kexin
si2399ds-3.pdfpdf_icon

SI2399DS-T1

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET SI2399DS (KI2399DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V) 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute Maximum R

 6.1. Size:172K  vishay
si2399ds.pdfpdf_icon

SI2399DS-T1

Si2399DS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET - 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested 0.067 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 6.2. Size:1691K  kexin
si2399ds.pdfpdf_icon

SI2399DS-T1

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET SI2399DS (KI2399DS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V) 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute Maximum Rati

Другие MOSFET... SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , 2N7002 , SI3911DV-T1 , SI4401BDY-T1 , SI4401DDY-T1-GE3 , SI4405DY-T1 , SI4410DY-T1 , SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 .

History: 2SJ687-ZK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.