SI3911DV-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3911DV-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3911DV-T1

SI3911DV-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:938K cn vbsemi
si3911dv-t1.pdf

SI3911DV-T1www.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

6.1. Size:197K vishay
si3911dv.pdf

Si3911DVVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.200 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.300 at VGS = - 1.8 V - 1.5TSOP-6 S1 S2Top ViewG1 D

9.1. Size:63K vishay
si3915dv.pdf

Si3915DVNew ProductVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.120 @ VGS = 4.5 V 2.512120.175 @ VGS = 2.5 V 2.00.240 @ VGS = 1.8 V 1.7S1 S2TSOP-6Top ViewG1 D11 6G1 G23 mm S2 S152G2 D23 42.85 mm D1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHE

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Liste

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