SI3911DV-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3911DV-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 typ Ohm
Encapsulados: TSOP6
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SI3911DV-T1 datasheet
si3911dv-t1.pdf
SI3911DV-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable
si3911dv.pdf
Si3911DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.200 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.300 at VGS = - 1.8 V - 1.5 TSOP-6 S1 S2 Top View G1 D
si3915dv.pdf
Si3915DV New Product Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.120 @ VGS = 4.5 V 2.5 12 12 0.175 @ VGS = 2.5 V 2.0 0.240 @ VGS = 1.8 V 1.7 S1 S2 TSOP-6 Top View G1 D1 1 6 G1 G2 3 mm S2 S1 5 2 G2 D2 3 4 2.85 mm D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHE
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History: MI4800 | SGSP311 | BRD70N08 | CM10N60AFZ | BRD840
History: MI4800 | SGSP311 | BRD70N08 | CM10N60AFZ | BRD840
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