SI3911DV-T1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI3911DV-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 typ Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для SI3911DV-T1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI3911DV-T1 даташит
si3911dv-t1.pdf
SI3911DV-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable
si3911dv.pdf
Si3911DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.200 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.300 at VGS = - 1.8 V - 1.5 TSOP-6 S1 S2 Top View G1 D
si3915dv.pdf
Si3915DV New Product Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.120 @ VGS = 4.5 V 2.5 12 12 0.175 @ VGS = 2.5 V 2.0 0.240 @ VGS = 1.8 V 1.7 S1 S2 TSOP-6 Top View G1 D1 1 6 G1 G2 3 mm S2 S1 5 2 G2 D2 3 4 2.85 mm D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHE
Другие MOSFET... SI2324DS-T1-GE3 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , IRF9540N , SI4401BDY-T1 , SI4401DDY-T1-GE3 , SI4405DY-T1 , SI4410DY-T1 , SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY .
History: MI4800 | APT60N60BCS | S15H11RN | BRD70N08 | BRD840 | SMK1350F | AGM612MBP
History: MI4800 | APT60N60BCS | S15H11RN | BRD70N08 | BRD840 | SMK1350F | AGM612MBP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140



