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SI4890BDY-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4890BDY-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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SI4890BDY-T1 datasheet

 ..1. Size:866K  cn vbsemi
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SI4890BDY-T1

SI4890BDY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

 5.1. Size:88K  vishay
si4890bd si4890bdy.pdf pdf_icon

SI4890BDY-T1

Si4890BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.016 at VGS = 4.5 V 14 APPLICATIONS Notebook - System Power - Adapter Switch SO-8 DC/DC D SD

 8.1. Size:237K  vishay
si4890dy.pdf pdf_icon

SI4890BDY-T1

Si4890DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D

 9.1. Size:244K  vishay
si4896dy.pdf pdf_icon

SI4890BDY-T1

Si4896DY Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs 80 0.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information

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History: CMT04N60XN252

 

 
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