SI4890BDY-T1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4890BDY-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4890BDY-T1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4890BDY-T1 даташит
si4890bdy-t1.pdf
SI4890BDY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch
si4890bd si4890bdy.pdf
Si4890BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.016 at VGS = 4.5 V 14 APPLICATIONS Notebook - System Power - Adapter Switch SO-8 DC/DC D SD
si4890dy.pdf
Si4890DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D
si4896dy.pdf
Si4896DY Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs 80 0.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information
Другие MOSFET... SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 , SI4466DY-T1 , SI4532ADY-T1 , SI4539DY-T1 , SI4840DY-T1-E3 , IRF1010E , SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 .
History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G
History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a







