SI4890BDY-T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI4890BDY-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4890BDY-T1
SI4890BDY-T1 Datasheet (PDF)
si4890bdy-t1.pdf

SI4890BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
si4890bd si4890bdy.pdf

Si4890BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested0.016 at VGS = 4.5 V 14APPLICATIONS Notebook- System Power- Adapter SwitchSO-8 DC/DCDSD
si4890dy.pdf

Si4890DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs300.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 8S D2 7S D
si4896dy.pdf

Si4896DYVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs800.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
Другие MOSFET... SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 , SI4466DY-T1 , SI4532ADY-T1 , SI4539DY-T1 , SI4840DY-T1-E3 , IRF530 , SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 .
History: SWI230R45VT | STF20NM50FD | D12N06 | UPA1951 | GSM4516W | JCS12N65FT | LNC16N65
History: SWI230R45VT | STF20NM50FD | D12N06 | UPA1951 | GSM4516W | JCS12N65FT | LNC16N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a