SI4890BDY-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4890BDY-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4890BDY-T1
SI4890BDY-T1 Datasheet (PDF)
si4890bdy-t1.pdf
SI4890BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
si4890bd si4890bdy.pdf
Si4890BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested0.016 at VGS = 4.5 V 14APPLICATIONS Notebook- System Power- Adapter SwitchSO-8 DC/DCDSD
si4890dy.pdf
Si4890DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs300.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 8S D2 7S D
si4896dy.pdf
Si4896DYVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs800.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
si4892dy.pdf
Si4892DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.012 at VGS = 10 V 12.4 TrenchFET Power MOSFETs300.020 at VGS = 4.5 V 9.6 High Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedDSO-8SD1 8S D2 7GS D3 6N-Channel
si4894bdy.pdf
Si4894BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested DSO-8S D1 8S 2 7 DGS 3 6 D4 5G DTop ViewSOrdering Information:Si4894BDY-T1-E3 (Lead (Pb)
si4894dy.pdf
Si4894DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D Lead (Pb)-Free Version is RoHS CompliantPb-free0.012 @ VGS = 10 V 12.53030Available0.018 @ VGS = 4.5 V 10.2DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD4 5STop ViewN-Channel MOSFETOrdering Information: Si4894DY-T1Si4894DY-T1E3 (Lea
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
