FDB047N10 Todos los transistores

 

FDB047N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB047N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 164 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

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FDB047N10 datasheet

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FDB047N10

August 2008 FDB047N10 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 164A, 4.7m Description General Description RDS(on) = 3.9m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon- ductor s advance PowerTrench process that has been especially Fast switching speed tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switch

 ..2. Size:1364K  onsemi
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FDB047N10

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FDB047N10

May 2006 tm FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Si

 9.2. Size:252K  fairchild semi
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FDB047N10

June 2010 _ FDB045AN08A0 F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability

Otros transistores... FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D , FDB039N06 , FDB045AN08A0 , FDB045AN08A0F085 , IRFP260N , STU405DH , FDB050AN06A0 , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A .

 

 

 


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