SI4948BEY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI4948BEY-T1-E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4948BEY-T1-E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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SI4948BEY-T1-E3 datasheet

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SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

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SI4948BEY-T1-E3

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 6.1. Size:226K  vishay
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SI4948BEY-T1-E3

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

Otros transistores... SI4466DY-T1 , SI4532ADY-T1 , SI4539DY-T1 , SI4840DY-T1-E3 , SI4890BDY-T1 , SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , CS150N03A8 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , SI6913DQ-T1 , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , SI9933ADY .

History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 


History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

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