SP8M3-TB Todos los transistores

 

SP8M3-TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8M3-TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de SP8M3-TB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SP8M3-TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1025K  cn vbsemi
 sp8m3-tb.pdf pdf_icon

SP8M3-TB

SP8M3-TBwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

 9.1. Size:93K  rohm
 sp8m3.pdf pdf_icon

SP8M3-TB

SP8M3 Transistors Switching SP8M3 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 5.00.23) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. 0.20.10.40.11.270.1Each lead has same dimensions Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25C) Limits (8)

Otros transistores... SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG , SM4307PSKPC , SM4927BSKC , SM4953KC , SP8K1TB , IRF2807 , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.