SP8M3-TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8M3-TB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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SP8M3-TB datasheet
sp8m3-tb.pdf
SP8M3-TB www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS
sp8m3.pdf
SP8M3 Transistors Switching SP8M3 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 5.0 0.2 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. 0.2 0.1 0.4 0.1 1.27 0.1 Each lead has same dimensions Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Limits (8)
Otros transistores... SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG , SM4307PSKPC , SM4927BSKC , SM4953KC , SP8K1TB , STF13NM60N , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG .
History: WMK80N04T1
History: WMK80N04T1
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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