SPN4412WS8RG Todos los transistores

 

SPN4412WS8RG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN4412WS8RG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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SPN4412WS8RG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1433K  cn vbsemi
 spn4412ws8rg.pdf pdf_icon

SPN4412WS8RG

SPN4412WS8RGwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

 9.1. Size:1422K  cn vbsemi
 spn4436s8r.pdf pdf_icon

SPN4412WS8RG

SPN4436S8Rwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL

Otros transistores... SM4927BSKC , SM4953KC , SP8K1TB , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , IRF520 , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , SQ9407EY-T1 , SSC8022GS6 .

History: FDMS86540 | WNM2046B | WMN10N65C4

 

 
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