SPP6507S26RGB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPP6507S26RGB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 typ Ohm
Encapsulados: TSOP6
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SPP6507S26RGB datasheet
spp6507s26rgb.pdf
SPP6507S26RGB www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portab
spp6506s26r.pdf
SPP6506S26R www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable
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