STD95NH02L Todos los transistores

 

STD95NH02L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD95NH02L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD95NH02L Datasheet (PDF)

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 std95nh02l std95nh02l-1.pdf pdf_icon

STD95NH02L

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V

 ..2. Size:1350K  cn vbsemi
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STD95NH02L

STD95NH02Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 10030 95nC0.0045 at VGS = 4.5 V 97APPLICATIONSDTO-251 OR-ing Server DC/DCGSG D STop ViewN-Channel MOSFETA

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STD95NH02L

STD95NH02L-1STD95NH02LN-channel 24V - 0.0039 - 80A - DPAK - IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD95NH02L 24V

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STD95NH02L

STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V

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History: ZXM62P03E6TA | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | NTD18N06

 

 
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