SUD10P06-280L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUD10P06-280L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.061(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD10P06-280L
SUD10P06-280L Datasheet (PDF)
sud10p06-280l.pdf
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SUD10P06-280LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.170 at VGS = - 10 V RoHS - 10- 60 COMPLIANT 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8STO-252GDrain Connected to TabG D STop View DOrdering Information: SUD10P06-280L-E
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SUD10P06-280Lwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter
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