SUD10P06-280L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUD10P06-280L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD10P06-280L
SUD10P06-280L Datasheet (PDF)
sud10p06-280l.pdf
SUD10P06-280LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.170 at VGS = - 10 V RoHS - 10- 60 COMPLIANT 0.280 at VGS = - 4.5 V - 8STO-252GDrain Connected to TabG D STop View DOrdering Information: SUD10P06-280L-E
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SUD10P06-280Lwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter
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History: AP9997GM
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