SUP75N08-10 Todos los transistores

 

SUP75N08-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP75N08-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUP75N08-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  vishay
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SUP75N08-10

SUP/SUB75N08-10Vishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)75 0.010 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N08-10Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N08-10ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75

 ..2. Size:750K  cn vbsemi
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SUP75N08-10

SUP75N08-10www.VBsemi.twN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Backl

 5.1. Size:106K  vishay
sup75n08-09l sub75n08-09l.pdf pdf_icon

SUP75N08-10

SUP/SUB75N08-09LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.009 @ VGS = 10 V75 "75 a75 "75 a0.011 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N08-09LTop ViewN-Channel MOSFETSUP75N08-09LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

 7.1. Size:72K  1
sup75n06-08 sub75n06-08.pdf pdf_icon

SUP75N08-10

SUP/SUB75N06-08N-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75aContinuous

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMN2020LSN | SQ4532AEY | STP60NF06LFP | FDB0260N1007L | IRLI3803PBF | IMZ120R350M1H

 

 
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